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Si2305ADS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.10
I D = 4.1 A
0.0 8
10
0.06
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
T A = 125 °C
1
0.02
T A = 25 °C
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
0.7
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.6
I D = 250 μA
20
0.5
0.4
10
0.3
0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69940
S09-0538-Rev. D, 06-Apr-09
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